در سری مقالات تکنولوژی نسل های مختلف حافظه به تفاوت‌ها و قابلیت‌های متعددی اشاره کردیم. از جمله این موارد می‌توان به قابلیت ECC که امکان رفع هرگونه خطا و اصلاح داده‌های خوانده شده توسط حافظه را بر عهده دارد اشاره کرد و یا تفاوت رم های Buffered و Unbuffered . تیم فنی و آموزش طراحان شبکه آرکا در ادامه قصد دارد درباره حافظه های FB-DIMM و LR-DIMM توضیحات مختصر اما کاربردی را ارائه دهد. شما عزیزان می‌توانید با مراجعه به بخش آموزش‌های سرور ، از سایر مطالب فنی و آموزشی حوزه سرور بهره‌مند گردید

معرفی دو نوع حافظه های FB-DIMM و LR-DIMM

در ابتدا به معرفی حافظه های FB-DIMM یا Fully Buffered DIMM می‌پردازیم :

Buffer یا بافر در حافظه RAM ناحیه‌ای است که برای ذخیره‌سازی اطلاعات موقت مورد استفاده قرار می‌گیرد.

احتمالا متوجه شده‌اید که وقتی دستورات زیادی را با تایپ کردن پشت سر هم در کیبورد در زمان هنگ کردن کامپیوترتان به کامپیوتر صادر می‌کنید بعد از چند ثانیه منتظر ماندن دستورات شما به ترتیب اجرا خواهند شد. این به این خاطر است که دستوراتی که با فشردن کلید‌های کیبورد به کامپیوتر ارسال می‌کنید در حافظه‌ای به نام Buffer در حافظه RAM ذخیره می‌شود تا بعد از رفع شدن مشکل بوجود آمده سیستم، پردازنده بتواند آن دستورات را پردازش کرده و بعد از پردازش در حافظه RAM قرار دهد تا نتیجه اجرای دستورات برای شما قابل نمایش باشد.

برخی از برنامه‌ها در سیستم به شما این امکان را می‌دهند تا قبل از اینکه آنها را در هارد دیسک ذخیره کنید بتوانید برای ذخیره سازی اطلاعات موقتی در حافظه برای خودتان Buffer ایجاد کنید. بافر ها نقش مهمی در اجرا شدن دستورات با سرعت زیاد دارند بطوریکه وقتی شما چندین کلید را در کیبورد به صورت پشت سر هم می‌فشارید دستورات حاصل از فشردن کلیدها در کیبورد به صورت لحظه‌ای در بافر ذخیره می‌شود تا CPU بتواند آنها را از حافظه بافر فراخوانی کرده و اجرا نماید.

حافظه های Fully Buffered به رم هایی گفته می‌شود که از تکنولوژی خاصی جهت افزایش قابلیت اطمینان و تراکم سیستم‌های حافظه استفاده می‌کنند و نحوه عملکرد آن ها بدین صورت است که برای انتقال اطلاعات از یک درگاه چندگانه (AMB (Advanced Memory Buffered استفاده می‌شود که امکان اتصال خطوط انتقال داده از کنترلر حافظه را به هر ماژول DRAM بصورت مجزا و سریال ایجاد می‌کند.

توجه داشته باشید که این قابلیت یک افزایش پهنای باند حافظه بدون افزایش تعداد پین است، یعنی به دنبال این افزایش پهنای باند سیگنال تضعیف شده توسط AMB بازسازی شده و مکررا ارسال می‌شود. AMB می‌تواند با ایجاد امکان تصحیح خطا بدون اعمال هیچگونه افزایش بار برروی پردازنده، آن را کنترل کند همچنین با استفاده از قابلیت Bit Lane Fail over Correction اقدام به حذف مسیرهای اشتباه را از سر راه عملیات بنماید.

همچنین، از آنجا که خواندن و نوشتن (Read – Write) در این رم ها بصورت کامل محافظت می‌شوند، می‌توانند توسط کنترل کننده حافظه به صورت موازی انجام شوند. این امر اجازه می‌دهد اتصال‌های ساده‌تری در تبادل اطلاعات ایجاد شود.

حافظه های LR-DIMM یا Load Reduced DIMM

این ماژول‌ها بیشتر شبیه به حافظه ثبت شده Registered هستند، به طوری که ماژول‌های LRDIMM هم کنترل و هم خطوط انتقال داده‌ها را با هم حفظ می‌کنند و طبیعت موازی (Parallel) همه سیگنال‌ها را حفظ می‌کنند.

در نتیجه، رم های LRDIMM ظرفیت بالاتری از حداکثر حافظه را فراهم می‌کند، در حالی که این امر به خاطر وجود برخی از مسائل مربوط به عملکرد و مصرف برق حافظه FB-DIMM ناشی از تبدیل مورد نیاز بین فرم‌های سیگنال سریال و موازی است که اتفاق می‌افتد.

هر دو نوع حافظه FB-DIMM و LRDIMM در ابتدا برای کنترل مقدار جریان الکتریکی که در هر زمان به تراشه های حافظه داده شده و از آن جریان می یابد طراحی شده‌اند. آنها با حافظه ثبت شده (Registered (Buffered سازگار نیستند، و برخی از مادربردهای سرور امکان ساپورت آن را دارند.

انواع مختلف رم